技術(shù)
導(dǎo)讀:上海微電子舉行首臺(tái)2.5D / 3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)發(fā)運(yùn)儀式,這標(biāo)志著中國(guó)首臺(tái)2.5D / 3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)正式交付客戶。
上海微電子舉行首臺(tái)2.5D / 3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)發(fā)運(yùn)儀式,這標(biāo)志著中國(guó)首臺(tái)2.5D / 3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)正式交付客戶。
早在2021年9月18日,上海微電子宣布推出SSB520型新一代大視場(chǎng)高分辨率先進(jìn)封裝光刻機(jī)。該光刻機(jī)主要應(yīng)用于高密度異構(gòu)集成領(lǐng)域,具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光視場(chǎng)等特點(diǎn),可幫助晶圓級(jí)先進(jìn)封裝企業(yè)實(shí)現(xiàn)多芯片高密度互連封裝技術(shù)的應(yīng)用,滿足異構(gòu)集成超大芯片封裝尺寸的應(yīng)用需求。
根據(jù)資料顯示,該光刻機(jī)可滿足0.8μm(800nm)分辨率光刻工藝需求,極限分辨率可達(dá)0.6μm(600nm);通過(guò)升級(jí)運(yùn)動(dòng)、量測(cè)和控制系統(tǒng),套刻精度提升至≤100nm,并能保持長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
注:1 微米(μm)=1000 納米(nm)
此外,曝光視場(chǎng)可提供53mm×66mm(4倍IC前道標(biāo)準(zhǔn)視場(chǎng)尺寸)和60mm×60mm兩種配置,可滿足異構(gòu)集成超大芯片封裝尺寸的應(yīng)用需求。
該IC后道先進(jìn)封裝光刻機(jī)比起此前的SSB500/40和SSB500/50型有著較大的提升。SSB500系列步進(jìn)投影光刻機(jī)主要應(yīng)用于200mm/300mm集成電路先進(jìn)封裝領(lǐng)域,包括Flip Chip、Fan-In WLP、Fan-Out WLP和2.5D/3D等先進(jìn)封裝形式,可滿足Bumping、RDL和TSV等制程的晶圓級(jí)光刻工藝需求。
以下為SSB500/40與 SSB500/50型光刻機(jī)的主要技術(shù)參數(shù):