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機(jī)構(gòu):國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和三星的技術(shù)差距是5年

2022-05-31 17:08 快科技
關(guān)鍵詞:芯片半導(dǎo)體模組

導(dǎo)讀:日前,韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI在報(bào)告中稱,估計(jì)韓企和中國(guó)廠商在DRAM芯片的技術(shù)差距已縮短至5年。

數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代,芯片扮演著重要角色。得益于人才聚集、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、政策扶持等,我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展,并不斷拉近與先進(jìn)地區(qū)、企業(yè)的差距。

日前,韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI在報(bào)告中稱,估計(jì)韓企和中國(guó)廠商在DRAM芯片的技術(shù)差距已縮短至5年。

具體來說,三星和SK海力士計(jì)劃在年底前投產(chǎn)第五代10nm級(jí)(1b或者說12nm)內(nèi)存芯片,國(guó)產(chǎn)DRAM代表企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫今年的打算則是第二代10nm(1y或者說16/17nm)。

一般而言,DRAM每一代的演進(jìn)時(shí)間是2年到2年半。

按照正常節(jié)奏,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存芯片完全有機(jī)會(huì)進(jìn)一步縮短差距,可目前有一個(gè)比較棘手的問題在于,三星和SK海力士已經(jīng)為生產(chǎn)更先進(jìn)的DRAM芯片引入了EUV(極紫外光刻)設(shè)備,而這對(duì)我們來說,暫時(shí)還沒法獲取。